-
1 время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
-
2 время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
-
3 геометрическая ось полупроводникового излучателя
геометрическая ось полупроводникового излучателя
геометрическая ось
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя
Геометрическая ось
Mechanical axis
-
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > геометрическая ось полупроводникового излучателя
-
4 диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
Диаграмма направленности излучения
Radiation diagram
-
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
-
5 динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
-
6 длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны излучения
λmax
λp
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
Длина волны излучения
Peak emission wavelength
λmax
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
-
7 импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
импульсная рассеиваемая мощность
Ррас.и
PM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
Импульсная рассеиваемая мощность
Maximum peak power
Ррас.и
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
-
8 импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение
Uпр.и
UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное прямое напряжение
Maximum peak forward voltage
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
-
9 импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
-
10 напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
Uпроб
U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя
Напряжение пробоя
Breakdown voltage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение пробоя полупроводникового излучателя
-
11 общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общая емкость полупроводникового излучателя
-
12 оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > оптическая ось полупроводникового излучателя
-
13 постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
Uобр
UR
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное обратное напряжение
Reverse continuous voltage
Uобр
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
-
14 постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток
Iобр
IR
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
Постоянный обратный ток
Reverse continuous current
Iобр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
-
15 постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток
Iпр
IF
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
Постоянный прямой ток
Continuous (direct) forward current
Iпр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
-
16 температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения
αUпр
αUF
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
Температурный коэффициент прямого напряжения
Forward voltage temperature coefficient
αUпр
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
-
17 тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление
Rпер-кор
Rth-ja
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
Тепловое сопротивление
Total thermal resistance
Rпер-кор
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
-
18 угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения
е
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
6. Угол излучения полупроводникового излучателя
Угол излучения
Half-intensity beam
Θ
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > угол излучения полупроводникового излучателя
-
19 угол расхождения
угол расхождения
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
12. Угол расхождения
Squinting angle
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > угол расхождения
-
20 ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
ширина спектра
Δλ0,5
Δλ
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
Ширина спектра
Spectral radiation bandwidth
Δλ0,5
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
См. также в других словарях:
Поток излучения — ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ По ГОСТ 7601 Источник: ГОСТ 2729 … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn on time tвкл… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
поток — 3.6.14 поток (flow): Движение набора физических или информационных предметов во времени и пространстве. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя — время задержки при включении tзд.из td Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы… … Справочник технического переводчика
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя — время спада импульса tсп.из tf Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
геометрическая ось полупроводникового излучателя — геометрическая ось Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры полупроводниковых излучателей Синонимы… … Справочник технического переводчика
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя — диаграмма направленности излучения Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя — динамическое сопротивление Rдин RD Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы… … Справочник технического переводчика
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя — длина волны излучения λmax λp Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры… … Справочник технического переводчика
длительность импульса излучения полупроводникового излучателя — длительность импульса излучения tимп Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
емкость перехода полупроводникового излучателя — емкость перехода Cпер Сj Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры… … Справочник технического переводчика